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晶科能源获得发明专利授权:“一种太阳能电池及其制备方法、光伏

发布时间:2024-02-08 19:58编辑:admin 浏览次数:

  证券之星消息,根据企查查数据显示晶科能源(688223)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件”,专利申请号为CN3.8,授权日为2024年2月6日。

  专利摘要:本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,该太阳能电池包括:半导体衬底,位于半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构;第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层;第二掺杂结构包括第一硅掺杂层;覆盖第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层,穿过钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构,第一掺杂结构的区域允许多数载流子通过而阻碍少数载流子通过,具有较好的金属接触和较低的金属区复合,第二掺杂结构的硅掺杂层避免了第二掺杂结构形成载流子复合中心,降低太阳能电池对光的吸收,从而提高太阳能电池的转换效率。

  今年以来晶科能源新获得专利授权20个,较去年同期减少了16.67%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了8.21亿元,同比增57.74%。

  由证券之星根据公开信息整理,由算法生成,与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息(包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表)全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等,如存在问题请联系我们。本文为数据整理,不对您构成任何投资建议,投资有风险,请谨慎决策。

  证券之星消息,根据企查查数据显示晶科能源(688223)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件”,专利申请号为CN3.8,授权日为2024年2月6日。

  专利摘要:本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,该太阳能电池包括:半导体衬底,位于半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构;第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层;第二掺杂结构包括第一硅掺杂层;覆盖第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层,穿过钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构,第一掺杂结构的区域允许多数载流子通过而阻碍少数载流子通过,具有较好的金属接触和较低的金属区复合,第二掺杂结构的硅掺杂层避免了第二掺杂结构形成载流子复合中心,降低太阳能电池对光的吸收,从而提高太阳能电池的转换效率。

  今年以来晶科能源新获得专利授权20个,较去年同期减少了16.67%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了8.21亿元,同比增57.74%。

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